PECVD
適用工藝：PECVD滿足半導體集成電路，電力電子器件，光電子等行業用于在硅片上淀積SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。
PECVD系統性能特點：
結構形式：1—4管臥式熱壁型
硅片規格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
溫度范圍：300～1100℃
恒溫區長度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)
淀積薄膜均勻性： 片內±5％ 片間±5％ 批間±5％
沉積膜厚度：600～1 5000A
系統極限真空度：優于1Pa
工作壓力范圍：20～133Pa閉環控制
控制方式：工業微機
送料裝置：懸臂推拉舟、軟著陸系統
淀積薄膜分類：Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜
真空泵：羅茨泵、機械泵
工藝氣路：5路氣／管。VCR接口
40KFIz脈寬調制AE高頻電源
裝片量：200片／舟
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