|
LPCVD |
|
適用工藝：用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生長工藝及其摻雜如PSG或BPSG等
產品特點：
◆主機為水平三管爐系統構架，獨立完成不同的工藝或相同工藝
◆工業計算機控制系統，對爐溫、進退舟、氣體流量、閘門等動作進行自動控制
◆采用懸臂送片器，操作方便、無摩擦污染等
◆關鍵部件均采用進口，確保設備的高可靠性
◆工藝管路采用進口閥門管件組成-氣密性好、耐腐蝕、無污染（管路均采用EP級電拋光管），流量控制采用進口質量流量計（MFC）
◆工作壓力閉環自動控制，提高工藝穩定性和可靠性
◆控溫精度高，溫區控溫穩定性好
◆具有斷電報警、超溫報警、極限超溫報警等多種安全保護功能
◆高質量的加熱爐體，確保恒溫區的高穩定性及長壽命
LPCVD主要技術指標
◆工作溫度：300～1000℃
◆適應硅片尺寸：2～6英寸
◆裝片數量：30～100片/管
◆工藝管數量：1～3管（可選擇）
◆恒溫區長度： 760mm±1℃（熱壁式，可形成溫度梯度）
◆極限真空度： 8.0× 10 -1 Pa（約6.0× 10 -3Torr）
◆工作真空度： 10 ～ 1000Pa可調
◆淀積膜均勻性：片內≤±5%
◆控制系統：整機控制系統采用工業控制計算機（WINDOWS 系統界面，操作方便簡潔）
◆氣源系統：進口閥管件、自動軌道焊接
◆典型工藝（僅供參考）：
①氮化硅淀積：提供典型工藝氣路（具體根據用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： 3 NH3+4SiH4 → Si3N4+12H2 ……
②多晶硅淀積：提供典型工藝氣路（具體根據用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： SiH4 → Si+2H2 ……
③ 二氧化硅淀積：提供典型工藝氣路（具體根據用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： Si(OC2H5)4 → SiO2+ 4C2H4+2H2O （ DCS/N2O 等） ……
PSG: TEOS-O2 體系， + 磷烷（亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷）
BPSG: 在 PSG 中加入 B2H6 （硼烷）或硼酸三甲酯
---- 薄膜淀積工藝（相應的摻雜 - 僅供參考，具體根據客戶的情況作相應的調整）。 |
友情提示：以上產品均為非標類產品，均可根據客戶要求進行定制，因每家要求各不相同，
因此產品只以一張圖片舉例，并未全部列出。本公司兼營進口設備仿制業務，歡迎來電垂詢。
看同類產品☜MASGEL☞到產品大廳 |
在線服務:點擊QQ號碼左側對應的“
”圖標即可與之聯系.